Ученый Алферовского университета (участник консорциума Центра компетенций НТИ «Фотоника») Александр Голтаев разработал гибкий солнечный элемент с улучшенными массогабаритными характеристиками. Модули основаны на эпитаксиальных слоях арсенида галлия (GaAs) толщиной всего несколько микрон, которые отделены от подложки с использованием метода эпитаксиального отрыва. Это позволяет повторно использовать подложку, значительно снижая стоимость солнечных элементов.