Российские ученые повысили эффективность полупроводниковых наноструктур

Ученые из Санкт-Петербургского государственного университета смогли повысить интенсивность фотолюминесценции структур, состоящих из нитевидного нанокристалла с квантовой точкой внутри. Это позволит производить более действенные оптоэлектронные устройства. Об этом сообщил Родион Резник, руководитель лаборатории новых полупроводниковых материалов для квантовой информатики и телекоммуникаций СПбГУ.

В лаборатории новых полупроводниковых материалов для квантовой информатики и телекоммуникаций СПбГУ ученые занимаются выращиванием наноструктур, которые могут быть использованы в таких областях, как квантовая криптография и вычисления, микроэлектроника, оптоэлектроника, медицина и других. К таким наноструктурам относятся квантовые нити, точки и ямы. 

Эти структуры получают методом молекулярно-пучковой эпитаксии, выращивая их на различных поверхностях. В том числе, на пластинах кремния — ключевого материала в современной микроэлектронике. Перед началом процесса поверхность кремния очищают химическим методом. Затем помещают в установку молекулярно-пучковой эпитаксии. Там, в условиях вакуума, с помощью источников особо чистых материалов выращивают наноструктуры.

Специалисты Санкт-Петербургского университета также умеют выращивать одни наноструктуры внутри других, например квантовые точки внутри нитевидных нанокристаллов. По словам учёных, это позволяет создавать более эффективные устройства для быстрой и точной передачи и обработки информации.

Физическими свойствами таких наноструктур можно управлять, изменяя условия их роста и, соответственно, размеры. Так, учёные СПбГУ смогли повысить интенсивность фотолюминесценции (свечения) наноструктур с квантовой точкой внутри нитевидного нанокристалла.